Toshiba bringt einen 1,4 mΩ, 80 V N-Kanal-Leistungs-MOSFET für hocheffiziente Industrieanlagen auf den Markt.
Die U-MOS11-H-Generation bietet geringe Verluste und hohe Drainstromfähigkeit in einem kompakten 4,9 x 6,1 mm Gehäuse
Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat den TPM1R408RH vorgestellt, einen 80-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf der neuesten U-MOS11-H-Prozesstechnologie des Unternehmens basiert. Das neue Bauteil ist für hocheffiziente industrielle Schaltnetzteile für Rechenzentrumsausrüstung und Kommunikationsbasisstationen konzipiert und kombiniert einen Durchlasswiderstand (R<sub>H</sub>) mit einem Niederspannungs-MOSFET.DS (EIN)) extrem niedriger Stromverbrauch bei gleichzeitig schneller Schaltleistung, um Entwicklern zu helfen, die Systemeffizienz zu verbessern und Leistungsverluste zu reduzieren.
Im Vergleich zum TPM1R908QM, einem 80-V-Produkt, das im U-MOS-XH-Prozess der vorherigen Generation hergestellt wurde, erreicht der TPM1R408RH einen höheren R-Wert.DS (EIN) ungefähr 26 % niedriger, von 1,4 mΩ (max.) bei einer Gate-Source-Spannung (VGS) von 10 V und einem Drainstrom (ID) von 50 A, was dazu beiträgt, Leitungsverluste in anspruchsvollen Stromversorgungsdesigns zu minimieren.
Um die Effizienz weiter zu verbessern, optimiert der neue MOSFET das Verhältnis zwischen RDS (EIN) und die gesamte Gate-Last (Qg), die 80 nC erreicht. Die Gütezahl (FOM) [RDS (EIN) [× Qg] ist um etwa 45 % niedriger (1,4 mΩ × 80 nC = 112 mΩ·nC) als beim TPM1R908QM (1,9 mΩ × 108 nC = 205,2 mΩ·nC). Diese Eigenschaften reduzieren die Schaltverluste und unterdrücken Spannungsspitzen zwischen Drain und Source während des Schaltvorgangs. Dies trägt zur Verringerung elektromagnetischer Störungen (EMI) bei und ermöglicht schnelles Schalten in Schaltnetzteilen.
Der TPM1R408RH unterstützt eine Drain-Source-Spannung von 80 V und einen maximalen Drainstrom (IDMit einem Nennstrom von 288 A (Tc = 25 °C) eignet es sich für industrielle Hochstromanwendungen. Das Bauteil ist im kompakten SOP Advance(E)-Gehäuse von Toshiba erhältlich, welches den Gehäusewiderstand um ca. 65 % und den Wärmewiderstand um ca. 15 % gegenüber dem bisherigen SOP Advance(N)-Gehäuse reduziert und somit platzsparende Systemdesigns ermöglicht.
Toshiba bietet außerdem Werkzeuge an, die die Schaltungsentwicklung für Schaltnetzteile vereinfachen. Neben dem G0 SPICE-Modell, das die Funktion von Schaltungen schnell überprüft, sind nun weitere Werkzeuge verfügbar. G2 SPICE Modelle hohe Präzision, die die transienten Eigenschaften wiedergibt.
Toshiba wird sein Angebot an Leistungs-MOSFETs, die die Effizienz von Netzteilen verbessern und so dazu beitragen, den Energieverbrauch von Geräten zu senken, weiter ausbauen.
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