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Überleben einer Lawine mit SiC von Microchip

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Unübertroffene Robustheit und Stabilität

Eine hohe Leistungsumwandlung kann zu größeren Ausfällen führen. Können Ihre Leistungshalbleiter das überstehen?

Ihre Kunden verlangen es. Mit ihrer unübertroffenen Robustheit und langfristigen Zuverlässigkeit sind die SiC-MOSFETs von Microchip die richtige Wahl für einen sicheren und zuverlässigen Einsatz der SiC-Technologie.

Zusätzlich zu ihrer Parameterstabilität bieten die SiC-MOSFETs von Microchip die Widerstandsfähigkeit, um sowohl Kurzschlüsse als auch Lawinenausfälle sicher zu handhaben und Ihre unternehmenskritischen Stromversorgungssysteme wie vorgesehen am Laufen zu halten.

Zur Optimierung Ihres SiC-Designprozesses bieten wir End-to-End-Lösungen mit SiC-MOSFETs mit fortschrittlichen Leistungspaketen und digital programmierbaren Gate-Treibern. Außerdem bieten unsere Produkte wie immer erstklassigen technischen Support, eine robuste Lieferkette und eine kundenorientierte Obsoleszenz-Richtlinie.

Microchip liefert die zuverlässigsten und robustesten SiC-MOSFETs auf dem Markt, sowohl diskrete Bauelemente als auch Leistungsmodule, und sie wurden entwickelt, um Ihre anspruchsvollsten Anwendungen zu überstehen. Design mit SiC von Microchip. Gestalten Sie mit Zuversicht.

Hauptmerkmale

  • Ein Gate-Oxid mit hoher Integrität bietet Ihnen eine stabile Schwellenspannung, die über 100 Jahre lang ausfallsicher ist, selbst bei erhöhten Temperaturen.
  • Die strukturelle Diode in unseren SiC-MOSFETs ist nicht abbaubar, was Ihnen ein festes Designfenster bietet und den kostspieligen Schutz einer antiparallelen Diode eliminiert.
  • Der Einschaltwiderstand der SiC-MOSFETs von Microchip weist die branchenweit niedrigste Temperaturempfindlichkeit auf, was ihr Design verbessert und ihre Kosten optimiert.