Neueste vollständige SiC-Leistungsmodule mit hoher Spannungs-/Stromfähigkeit – Intelligente Leistungsmodule für Hochleistungsschaltungen – superkompakte AC/DC-Wandlersteuerung für SiC-MOSFETs
Anlässlich der SPS IPC Drives in Nürnberg vom 24. bis 26. November präsentiert ROHM Semiconductor seine neuesten Leistungsmodule für schnelles, hochzuverlässiges Schalten und SiC-MOSFET-Ansteuerung (Halle 1 – Stand 320). Alle Geräte bieten nicht nur optimierte Energieverwaltungsfunktionen, sondern auch ein innovatives und kompaktes Gehäusedesign, um die Anforderungen einer breiten Palette von Anwendungen zu erfüllen, wie z. B. große Stromversorgungen, Wechselrichter, Industrieanlagen, Server und andere.
Komplette SiC-Leistungsmodule 1200 V / 300 A
Das neue BSM300D12P2E001 eignet sich aufgrund seines Nennstroms von 300 A besonders für Hochleistungsanwendungen wie Stromversorgungen mit hoher Kapazität für Industrieanlagen. Außerdem 77 % niedrigere Schaltverluste im Vergleich zu Herkömmliche IGBT-Module, die einen Hochfrequenzbetrieb ermöglichen und zu kleineren Kühlgegenmaßnahmen und Peripheriekomponenten beitragen. ROHM enthält ein neues Gehäusedesign, das in der Lage ist, die Auswirkungen von Spannungsspitzen während des Schaltens zu minimieren.
Eine originelle Abschwächungsstruktur für elektrische Felder wird zusammen mit einem neuen Screening-Verfahren verwendet, um eine hohe Zuverlässigkeit zu gewährleisten, was es zu einem perfekten Ersatz für IGBT-Module mit einem höheren maximalen Stromverhältnis macht. Der neue Baustein ergänzt die bestehende vollständige SiC-Leistungsmodulreihe mit 1200 V/120 A (einschließlich MOSFET und SBD) bzw. 1200 V/180 A (nur MOSFET), die bereits eine zunehmende Akzeptanz im Energie- und Industriesektor gefunden hat.
IGBT-IPMs (Intelligente Leistungsmodule)
Die neue Familie von IPMs (Intelligent Power Modules) für effiziente Motorsteuerungs- und Umrichteranwendungen umfasst IGBT-basierte Module, die für den Betrieb mit niedriger oder hoher Geschwindigkeit optimiert sind, sowie MOSFET-basierte IPMs mit der patentierten Low Ron SuperJunction-Technologie.MOSFET (PrestoMOS™ ) von ROHM in einem kompakten HSDIP25-Gehäuse. Dies bietet Entwicklern von Haushaltsgeräten und Industriemotoren eine äußerst zuverlässige Lösung und eine Vielzahl kostengünstiger Gestaltungsmöglichkeiten. Die neuen Geräte reduzieren den Leistungsverlust bei leichten und hohen Lasten erheblich und erhöhen gleichzeitig die Leistungskapazität. Die komplette Linie umfasst 10-A-, 15-A- und 20-A-Versionen von 600-V-IPMs-IGBTs, 30-A-Versionen sind in der Entwicklung.
AC/DC-Wandler-Steuer-ICs für SiC-MOSFETs
Der BD7682FJ-LB ermöglicht eine einfache Implementierung von MOSFET-SiCs in einen AC/DC-Wandler, der die Herausforderung diskreter Konfigurationen überwindet. Es bietet eine hochintegrierte Lösung und setzt neue Maßstäbe für Energieeinsparung und Miniaturisierung, während es gleichzeitig die Einführung von SiC-Leistungshalbleitern unterstützt. Im Vergleich zu Silizium-MOSFETs, die in herkömmlichen AC/DC-Wandlern verwendet werden, ermöglichen SiC-MOSFETs AC/DC-Wandler mit einer Verbesserung der Energieeffizienz um bis zu 6 %. Andererseits werden Komponenten zur Wärmeabfuhr (50-W-Netzteile) nicht benötigt, was zu einer größeren Kompaktheit führt.
Die Spezifikation des BD7682FJ-LB umfasst auch mehrere Schutzfunktionen, die es ihm ermöglichen, hohen Spannungen bis zu 690 VAC standzuhalten, was ihn ideal für allgemeine Industrieanlagen macht und gleichzeitig die Zuverlässigkeit verbessert.
