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Articulos
La batalla ha comenzado entre FLASH & FRAM
Articulos - Memorias
Miércoles, 22 de Febrero de 2012 15:13

La batalla ha comenzado entre FLASH & FRAM
Artículo cedido por RS Components
Los nuevos sistemas integrados y aplicaciones exigen el desarrollo continuo de microcontroladores (MCU) muy robustos, que logren un rendimiento mayor con un consumo de energía menor. 

 

 
Mediciones en DRAM DDR
Articulos - Memorias
Martes, 25 de Octubre de 2011 00:00

Maximizar el ancho de banda de las sondas BGA de DDR con el fin de obtener una fidelidad superior de las señales
Artículo cedido por Agilent Technologies

A medida que el diseño de las memorias se vuelve más complejo y compacto, y la velocidad de transmisión de datos no deja de aumentar, no es de extrañar que el uso de sondas BGA para realizar mediciones de memorias DRAM tipo DDR haya cobrado popularidad e incluso se haya convertido casi en un requisito. Las velocidades de datos de DDR3 y DDR4 pasarán de 800 MT/s a posiblemente 3.200 MT/s. En estos momentos, la enorme preocupación de los diseñadores de sistemas de memoria estriba en la capacidad del diseño actual de los sistemas de sondas BGA de DDR para satisfacer los elevados requisitos de ancho de banda que permitan obtener la más alta fidelidad de las señales. La fidelidad de las señales es importante para obtener medidas de DDR precisas de cara a cumplir la especificación del JEDEC. Asimismo, los diseñadores de memorias necesitan realizar medidas de integridad de señales para probar los márgenes. El margen obtenido al eliminar el efecto de la sonda BGA de DDR podrá utilizarse para incorporar componentes menos tolerantes en el diseño. El presente artículo describe un nuevo método de corrección de sonda utilizado para ampliar el ancho de banda de la sonda BGA de DDR a fin de obtener un margen más amplio en las pruebas de integridad de señales y minimizar aquellos errores introducidos por la sonda BGA de DDR.

 
Verificación eléctrica de memorias DDR
Articulos - Memorias
Jueves, 17 de Diciembre de 2009 00:00

Verificación eléctrica de memorias DDR

Por Trevor Smith, director de desarrollo del mercado de osciloscopios

Traducido y adaptado por Juan Ojeda de AFC Ingenieros S.A.

Prácticamente todos los dispositivos electrónicos utilizan algún tipo de memoria RAM. Las memorias SDRAM son las de tecnología dominante para la mayoría de los tipos de ordenadores y productos basados en ordenadores. Las memorias DDR o SDRAM de doble velocidad de datos se han convertido hoy en día en la tecnología de memorias elegida. Esta tecnología ofrece una buena combinación de velocidad y capacidad, potencia disponible y tamaño físico a un costo por bit relativamente bajo.

 

 
Intel presenta un disco duro de estado sólido (SSD) ultra-compacto
Articulos - Memorias
Jueves, 24 de Septiembre de 2009 00:00

Intel presenta un disco duro de estado sólido (SSD) ultra-compacto.
Articulo cedido por ARROW IBERIA Electrónica

El dispositivo de memoria de estado sólido Intel® Z-P140 PATA es ultra-pequeño, rápido y de bajo consumo para aplicaciones de dispositivos móviles, Internet, entretenimiento digital y sistemas embebidos.
Leer más...

 
Soluciones de almacenamiento con la tecnología NAND de Intel.
Articulos - Memorias
Domingo, 20 de Septiembre de 2009 00:00

Soluciones de almacenamiento con la tecnología NAND de Intel.
Intel® SATA Solid-State Drive (SSD) de alto rendimiento
Articulo cedido por ARROW IBERIA Electronica

Basados en su experiencia en ingeniería de memorias, los SATA SSDs de Intel están diseñados para proporcionar un excelente rendimiento y fiabilidad, ofreciendo la última generación de interfaz SATA, con una avanzada arquitectura que emplea 10 canales NAND Flash en paralelo, equipados con memoria Flash NAND single-level cell (E-Extreme) y multi-level cell (Mainstream).

 
Protección contra sobreintensidades y sobretensiones en aplicaciones de memorias extraíbles Flash
Articulos - Memorias
Miércoles, 24 de Diciembre de 2008 00:00

Protección contra sobreintensidades y sobretensiones en aplicaciones de memorias extraíbles Flash
Articulos cedidos por ARROW IBERIA Electrónica

Las memorias ex­traíbles Flash USB y sus hosts son vul­nerables a los picos repentinos de ten­sión procedentes de descargas elec­trostáticas (ESD) en las líneas de datos y a los picos repen­tinos de corriente al conectarse a la línea de alimenta­ción +V. En estas aplicaciones, los dispositivos de pro­tección del circuito, se utilizan habitual­mente para ayudar a proteger contra los daños causados por sobrecorrientes y sobretensiones.
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SiliconDrive II: Tecnología avanzada de almacenamiento flash
Articulos - Memorias
Sábado, 05 de Julio de 2008 00:00

SiliconDrive II: Tecnología avanzada de almacenamiento flash
Articulo cedido por ARROW IBERIA Electrónica 

SiliconDrive II es la nueva plataforma tecnológica de Sili­conSystems diseñada tanto para superar los problemas de fiabi­lidad, durabilidad y compatibi­lidad que tan relevantes resul­tan en aplicaciones industriales, como para cubrir las necesidades de altas prestaciones, robustez y longevidad de producto de di­chas aplicaciones.

 

 

 

 
Intel presenta un disco duro de estado sólido (SSD) ultra-compacto
Articulos - Memorias
Sábado, 28 de Junio de 2008 00:00

Intel presenta un disco duro de estado sólido (SSD) ultra-compacto
Articulo cedido por ARROW IBERIA Electrónica

El dispositivo de memoria de estado sólido Intel® Z-P140 PATA es ultra-pe­queño, rápido y de bajo consumo para aplicaciones de dispositivos móviles, In­ternet, entretenimiento digital y sistemas embebidos.

 

 
La tecnología MirrorBit™ de SPANSION expande el rango de densidad de las memorias Flash NOR
Articulos - Memorias
Sábado, 24 de Febrero de 2007 00:00

La tecnología MirrorBit™ de SPANSION expande el rango de densidad de las memorias Flash NOR 
Articulo cedido por ARROW IBERIA Electronica

La demanda de memorias Flash NOR de alta densidad se está elevando y gracias a la galardonada tecnología MirrorBit™ de Spansion el cliente puede seleccionar hoy en día dispositivos de un solo die hasta 1GB.
Leer más

 


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