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La memoria Quad I/O™ SuperFlash® serie de 64 Mb y baja tensión de Microchip mejora el consumo en dispositivos alimentados por batería

Microchip anuncia la disponibilidad de un nuevo dispositivo de memoria Quad I/O™ SuperFlash® serie de 1,8V. El SST26WF064C, un dispositivo de 64 Mb y baja tensión, combina doble velocidad de transferencia (Dual Transfer Rate, DTR) y una tecnología propia SuperFlash NOR Flash, por lo que es ideal para aplicaciones inalámbricas y alimentadas por batería. DTR ofrece a los clientes la capacidad de suministrar datos en ambos flancos de la señal de reloj, reduciendo así el tiempo total de acceso a los datos y el consumo. La tecnología SuperFlash también reduce el consumo al proporcionar los tiempos de borrado más rápidos del mercado. El tiempo típico de borrado del chip para el SST26WF064C se sitúa entre 35 y 50 ms, mientras que en los dispositivos Flash de sus competidores el tiempo necesario supera los 30 segundos. El SST26WF064C también integra una función de reinicialización controlada por hardware que permite una reinicialización robusta del dispositivo.

La mayoría de dispositivos Flash serie del mercado no ofrecen la función de reinicialización por hardware debido al número limitado de patillas del encapsulado. Con este dispositivo de Microchip, los clientes tienen la posibilidad de reconfigurar la patilla HOLD# para esta función de reinicialización. El dispositivo, que trabaja a frecuencias de hasta 104 MHz, cuenta con capacidad eXecute-In-Place (XIP) de latencia mínima sin necesidad de copiar código en memoria SRAM (Static Random Access Memory). El nuevo dispositivo utiliza un interface serie de E/S multiplexado de 4 bit para aumentar las prestaciones y mantener al mismo tiempo el tamaño compacto de los dispositivos Flash serie estándar. El SST26WF064C también es totalmente compatible con el juego de instrucciones para el protocolo SPI (Serial Peripheral Interface) tradicional.

La tecnología SuperFlash de altas prestaciones de Microchip también significa que el dispositivo se basa en una célula propia de memoria Flash de puerta dividida que ofrece capacidades añadidas como una duración de hasta 100.000 ciclos de borrado/escritura, retención de datos durante más de 100 años y los tiempos de borrado más rápidos del mercado. Los desarrolladores ya pueden empezar a diseñar con la memoria Flash SST26WF064C utilizando modelos Verilog e IBIS, así como drivers de dispositivo. El SST26WF064C se suministra en diversos encapsulados, entre ellos WDFN de 8 contactos (6 mm x 5 mm), SOIJ de 8 terminales (5,28 mm), SOIC de 16 terminales (7,50 mm) y TBGA de 24 bolas (8 mm x 6 mm). Para mayor información, visite la web de Microchip en: www.microchip.com/SST26WF064C



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